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技术背景

技术基于中科院技术团队加优秀海外技术专家组成，拥有雄厚的测试及分析实验室资源以及优秀人才资源；同时团队在本领域行业深耕近十年，从芯片设计、制造工艺、封测、可靠性、应用等全链条贯通，拥有较强的产业链上下游和市场资源。

全参数测试平台

拥有国内一流的功率器件全参数测试平台，涵盖IGBT、快恢复二极管、MOSFET、双极晶体管等器件，测试能力包括静态、动态、短路耐量、安全工作区、雪崩、热阻、栅电荷与电容等项目。

可靠性测试分析平台

拥有国内领先的功率半导体器件可靠性测试与分析平台，涵盖各种耐压范围的IGBT、FRD以及功率MOSFET等器件，测试能力包括高温反偏(HTRB)、高温栅偏(HTGB)、恒温恒湿反偏(H3TRB)、温度循环(TC)、功率循环(PC)、高温存储(HTS)与静电放电敏感度(ESD)等项目。