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SGT MOSFET
SGT MOSFET又名屏蔽栅MOSFET，是一种采用电荷耦合技术来实现极低导通压降的单极性功率器件，是一种非常适合中低压应用的高性能器件。
芯长征科致力于开发高性能SGT MOSFET产品，目前覆盖40V~200V，最大电流达到300A，并且通过优化器件寄生电容，实现了极低FOM (RDSON*Qg) 优值产品。
产品特点
·低导通电阻，低FOM(RDSON*Qg)，高EAS能力
产品
| Part Number | Package | VDSS(V) | ID(A)@25℃ | V(GS)th(V)@250μA | RDS(on)(mΩ) 25℃ Max | QG(nC) | ||
| Min | Max | @VGS=10V | @VGS=4.5V | |||||
| MPGP10R065 | TO-220 | 100 | 87 | 1.1 | 2.5 | 6.5 | 9 | 30 |
| MPGJ10R7 | DFN5*6 | 100 | 94 | 1.1 | 2.3 | 6.5 | 9 | 50 |
| MPGD10R7 | TO-252 | 100 | 94 | 1.1 | 2.3 | 7 | 9.5 | 50 |
